၁။ ဂဟေဆက်ခြင်း- ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများဖြင့်ဖြစ်စေ၊ မပါဘဲဖြစ်စေ အပူပေးခြင်း သို့မဟုတ် ဖိအားပေးခြင်း သို့မဟုတ် နှစ်မျိုးလုံးဖြင့် ဂဟေဆက်ပစ္စည်းများ၏ အက်တမ်ချည်နှောင်မှုကို ရရှိစေသည့် လုပ်ငန်းစဉ်နည်းလမ်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၂။ ဂဟေဆက်ကြောင်း- ဂဟေဆက်ပြီးနောက် ဖွဲ့စည်းထားသော အဆစ်အပိုင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၃။ Butt Joint: ဂဟေဆက်နှစ်ခု၏ အဆုံးမျက်နှာပြင်များသည် နှိုင်းယှဉ်အားဖြင့် အပြိုင်ဖြစ်နေသော အဆစ်။
၄။ ချောင်း: ဒီဇိုင်း သို့မဟုတ် လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များအရ၊ ဂဟေဆက်ရမည့် အစိတ်အပိုင်းပေါ်တွင် သတ်မှတ်ထားသော ဂျီဩမေတြီပုံသဏ္ဍာန် ချောင်းကို စီမံဆောင်ရွက်သည်။
၅။ အားဖြည့်အမြင့်- ဘတ္တာဂဟေဆက်ခြင်းတွင်၊ ဂဟေထိပ်မျက်နှာပြင်အထက်မျဉ်းကိုကျော်လွန်သော ဂဟေသတ္တုအစိတ်အပိုင်း၏ အမြင့်။
၆။ ပုံဆောင်ခဲများဖြစ်ပေါ်ခြင်း- ပုံဆောင်ခဲဖြစ်ပေါ်ခြင်းဆိုသည်မှာ ပုံဆောင်ခဲနျူကလိယဖွဲ့စည်းခြင်းနှင့် ကြီးထွားခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။
၇။ မူလပုံဆောင်ခဲများဖြစ်ပေါ်ခြင်း- အပူအရင်းအမြစ် ထွက်သွားပြီးနောက်၊ ဂဟေဆော်ကန်ရှိ သတ္တုသည် အရည်မှ အစိုင်အခဲသို့ ပြောင်းလဲသွားပြီး၊ ၎င်းကို ဂဟေဆော်ကန်၏ မူလပုံဆောင်ခဲများဖြစ်ပေါ်စေခြင်းဟုခေါ်သည်။
၈။ ဒုတိယပုံဆောင်ခဲများဖြစ်ပေါ်ခြင်း- အပူချိန်မြင့်သတ္တုများသည် အခန်းအပူချိန်အထိ အအေးခံသောအခါ ဖြစ်ပေါ်လာသော အဆင့်အကူးအပြောင်း လုပ်ငန်းစဉ်များသည် ဒုတိယပုံဆောင်ခဲများဖြစ်ပေါ်ခြင်းဖြစ်သည်။
၉။ ပွတ်တိုက်ခြင်းကုသမှု- သံမဏိ၏ချေးခံနိုင်ရည်ကိုတိုးတက်စေရန်အတွက်၊ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်အောက်ဆိုဒ်အလွှာတစ်ခုကိုအတုပြုလုပ်ထားသည်။
၁၀။ အောက်ဆီဒေးရှင်းပျံ့နှံ့ခြင်း- အပူချိန်ကျဆင်းသွားသောအခါ၊ အရည်ပျော်ကန်တွင် မူလကပျော်ဝင်နေသော သံအောက်ဆိုဒ်သည် ချော်ရည်ထဲသို့ ဆက်လက်ပျံ့နှံ့သွားပြီး ဂဟေဆက်ထားသော အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်မှုကို လျော့ကျစေသည်။ ဤအောက်ဆီဒေးရှင်းနည်းလမ်းကို ပျံ့နှံ့ဓာတ်တိုးခြင်းဟုခေါ်သည်။
၁၁။ ပလတ်စတစ်ပုံပျက်ခြင်း- ပြင်ပအားကို ဖယ်ရှားလိုက်သောအခါ၊ မူလပုံသဏ္ဍာန်သို့ ပြန်မရောက်နိုင်သော ပုံပျက်ခြင်းသည် ပလတ်စတစ်ပုံပျက်ခြင်းဖြစ်သည်။
၁၂။ ပျော့ပြောင်းသောပုံပျက်ခြင်း- ပြင်ပအားကို ဖယ်ရှားလိုက်သောအခါ၊ မူလပုံသဏ္ဍာန်ကို ပြန်လည်ရရှိစေနိုင်သော ပုံပျက်ခြင်းသည် ပျော့ပြောင်းသောပုံပျက်ခြင်းဖြစ်သည်။
၁၃။ ဂဟေဆက်ထားသောဖွဲ့စည်းပုံ- ဂဟေဆက်ခြင်းဖြင့်ပြုလုပ်ထားသောသတ္တုဖွဲ့စည်းပုံ။
၁၄။ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာစွမ်းဆောင်ရည်စမ်းသပ်မှု- ဂဟေဆက်သတ္တုနှင့် ဂဟေဆက်ထားသောအဆစ်များ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများသည် ဒီဇိုင်းလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီမှုရှိမရှိ နားလည်ရန် ပျက်စီးစေသောစမ်းသပ်မှုနည်းလမ်း။
၁၅။ ပျက်စီးခြင်းမရှိသော စစ်ဆေးခြင်း- ပျက်စီးခြင်း သို့မဟုတ် ဖျက်ဆီးခြင်းမရှိဘဲ ပစ္စည်းများနှင့် အပြီးသတ်ထုတ်ကုန်များ၏ အတွင်းပိုင်းချို့ယွင်းချက်များကို စစ်ဆေးသည့်နည်းလမ်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၁၆။ အာ့ခ်ဂဟေဆက်ခြင်း- အာ့ခ်ကို အပူအရင်းအမြစ်အဖြစ်အသုံးပြုသည့် ဂဟေဆက်နည်းလမ်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၁၇။ ရေအောက်အာ့ခ်ဂဟေဆက်ခြင်း- ဂဟေဆက်ရန်အတွက် အာ့ခ်သည် ဖလပ်အလွှာအောက်တွင် လောင်ကျွမ်းသည့် နည်းလမ်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၁၈။ ဓာတ်ငွေ့ဖြင့်ကာကွယ်ထားသော arc welding ဆိုသည်မှာ ပြင်ပဓာတ်ငွေ့ကို arc medium အဖြစ်အသုံးပြုပြီး arc နှင့် welding area ကိုကာကွယ်ပေးသည့် welding နည်းလမ်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၁၉။ ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ဓာတ်ငွေ့ဖြင့်ကာကွယ်ထားသောဂဟေဆက်ခြင်း- ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကို ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ဓာတ်ငွေ့အဖြစ်အသုံးပြုသော ဂဟေဆက်နည်းလမ်းတစ်ခု၊ ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ဂဟေဆက်ခြင်း သို့မဟုတ် ဒုတိယကာဗွန်ဂဟေဆက်ခြင်းဟုရည်ညွှန်းသည်။
၂၀။ အာဂွန်အာ့ခ်ဂဟေဆော်ခြင်း- အာဂွန်ကို ဓာတ်ငွေ့အဖြစ်အသုံးပြု၍ ဓာတ်ငွေ့ကာရံထားသောဂဟေဆော်ခြင်း။
၂၁။ သတ္တုအာဂွန်အော့ခ်ဂဟေဆော်ခြင်း- အရည်ပျော်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို အသုံးပြု၍ အာဂွန်အော့ခ်ဂဟေဆော်ခြင်း။
၂၂။ ပလာစမာဖြတ်တောက်ခြင်း- ပလာစမာအာ့ခ်ကို အသုံးပြု၍ ဖြတ်တောက်သည့်နည်းလမ်း။
၂၃။ ကာဗွန်အော့ခ်ထွင်းခြင်း- ဂရပ်ဖိုက်တံ သို့မဟုတ် ကာဗွန်တံနှင့် အလုပ်အပိုင်းအကြားတွင် ဖြစ်ပေါ်လာသော အော့ခ်ထွင်းခြင်းကို အသုံးပြု၍ သတ္တုကို အရည်ပျော်စေပြီး ဖိသိပ်ထားသောလေဖြင့် မှုတ်ထုတ်ကာ သတ္တုမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ လမ်းကြောင်းများကို စီမံဆောင်ရွက်သည့် နည်းလမ်းကို အကောင်အထည်ဖော်သည့် နည်းလမ်း။
၂၄။ ကြွပ်ဆတ်သောကျိုးခြင်း- ၎င်းသည် yield point အောက်ရှိ ဖိအားအောက်တွင် သတ္တု၏ macroscopic plastic deformation မရှိဘဲ ရုတ်တရက်ဖြစ်ပေါ်သော ကျိုးခြင်းတစ်မျိုးဖြစ်သည်။
၂၅။ ပုံမှန်ဖြစ်စေခြင်း- သံမဏိကို အရေးပါသောအပူချိန် Ac3 မျဉ်းအထက်တွင် အပူပေးပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် ၃၀-၅၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် ထားရှိပြီးနောက် လေထဲတွင် အအေးခံပါ။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်ကို ပုံမှန်ဖြစ်စေခြင်းဟုခေါ်သည်။
၂၆။ အပူပေးခြင်း- သံမဏိကို သင့်လျော်သော အပူချိန်အထိ အပူပေးခြင်း၊ ယေဘုယျအားဖြင့် အချိန်အတော်ကြာ ထိန်းထားပြီးနောက် ဖြည်းဖြည်းချင်း အအေးခံခြင်းဖြင့် မျှခြေအခြေအနေနှင့် နီးစပ်သော ဖွဲ့စည်းပုံကို ရရှိစေသည့် အပူကုသမှု လုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။
၂၇။ အပူငြိမ်းစေခြင်း- သံမဏိကို Ac3 သို့မဟုတ် Ac1 အထက် အပူချိန်အထိ အပူပေးပြီးနောက် အပူထိန်းသိမ်းပြီးနောက် ရေ သို့မဟုတ် ဆီတွင် လျင်မြန်စွာ အအေးခံသည့် အပူကုသမှု လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်ပြီး မာကျောမှုမြင့်မားသောဖွဲ့စည်းပုံကို ရရှိစေပါသည်။
၂၈။ ပြီးပြည့်စုံသော အပူပေးမှု- Ac3 အထက်ရှိ workpiece ကို 30°C-50°C အထိ အချိန်အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ အပူပေးပြီးနောက် မီးဖိုအပူချိန်နှင့်အတူ 50°C အောက်သို့ ဖြည်းဖြည်းချင်းအအေးခံပြီးနောက် လေထဲတွင်အအေးခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။
၂၉။ ဂဟေဆက်ကိရိယာများ- ဂဟေဆက်ခြင်း၏ အရွယ်အစားကို သေချာစေရန်၊ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် ဂဟေဆက်ပုံပျက်ခြင်းကို ကာကွယ်ရန်အတွက် အသုံးပြုသော ကိရိယာများ။
၃၀။ ချော်ရည်ပါဝင်မှု- ဂဟေဆက်ပြီးနောက် ဂဟေဆက်ရာတွင် ကျန်ရှိနေသော ဂဟေချော်ရည်။
၃၁။ ဂဟေဆက်ချော်ရည်- ဂဟေဆက်ပြီးနောက် ဂဟေဆက်မျက်နှာပြင်ကို ဖုံးအုပ်ထားသော အစိုင်အခဲချော်ရည်။
၃၂။ မပြည့်စုံသော ထိုးဖောက်မှု- ဂဟေဆက်နေစဉ် အဆစ်အမြစ်ကို အပြည့်အဝ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်ခြင်းမရှိသည့် ဖြစ်စဉ်။
၃၃။ တန်စတင်ပါဝင်မှု- တန်စတင် အာနိသင်မဲ့ဓာတ်ငွေ့ဖြင့် ဂဟေဆော်စဉ် တန်စတင်လျှပ်ကူးပစ္စည်းမှ ဂဟေဆက်ထဲသို့ ဝင်ရောက်လာသော တန်စတင်အမှုန်အမွှားများ။
၃၄။ ရေစိမ့်ဝင်မှု- ဂဟေဆော်စဉ်တွင် အရည်ပျော်နေသော ရေကန်အတွင်းရှိ ပူဖောင်းများသည် အစိုင်အခဲဖြစ်လာသောအခါ မထွက်နိုင်ဘဲ အပေါက်များဖြစ်ပေါ်စေသည်။ Stomata ကို သိပ်သည်းသော stomata၊ တီကောင်ကဲ့သို့သော stomata နှင့် အပ်ကဲ့သို့သော stomata အဖြစ် ခွဲခြားနိုင်သည်။
၃၅။ အောက်ဖြတ်တောက်ခြင်း- ဂဟေဆော်ခြင်းဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များကို မမှန်ကန်စွာ ရွေးချယ်ခြင်း သို့မဟုတ် မှားယွင်းသော လည်ပတ်မှုနည်းလမ်းများကြောင့် ဂဟေချောင်း၏ အခြေခံသတ္တုတစ်လျှောက်တွင် မြောင်းများ သို့မဟုတ် ချိုင့်များ ဖြစ်ပေါ်လာသည်။
၃၆။ ဂဟေဆက်ခြင်းအကျိတ်- ဂဟေဆက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အရည်ပျော်နေသောသတ္တုသည် ဂဟေဆက်အပြင်ဘက်ရှိ အရည်မပျော်သေးသော အခြေခံသတ္တုသို့ စီးဆင်းပြီး သတ္တုအကျိတ်တစ်ခု ဖြစ်ပေါ်စေသည်။
၃၇။ ပျက်စီးခြင်းမရှိသောစမ်းသပ်ခြင်း- စစ်ဆေးထားသောပစ္စည်း သို့မဟုတ် အပြီးသတ်ထုတ်ကုန်၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တည်တံ့မှုကို မထိခိုက်စေဘဲ ချို့ယွင်းချက်များကို ရှာဖွေတွေ့ရှိသည့် နည်းလမ်း။
၃၈။ ဖျက်ဆီးခြင်းစမ်းသပ်မှု- ဂဟေဆက်ခြင်း သို့မဟုတ် စမ်းသပ်အပိုင်းအစများမှ နမူနာများကို ဖြတ်တောက်ခြင်း သို့မဟုတ် ထုတ်ကုန်တစ်ခုလုံး (သို့မဟုတ် ပုံစံတူအစိတ်အပိုင်း) မှ ၎င်း၏ မတူညီသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို စစ်ဆေးရန် ဖျက်ဆီးခြင်းစမ်းသပ်မှုများ ပြုလုပ်သည့် စမ်းသပ်နည်းလမ်း။
၃၉။ ဂဟေဆက်ကိရိယာ- ဂဟေခေါင်း သို့မဟုတ် ဂဟေမီးအိမ်ကို ဂဟေဆက်မည့်နေရာသို့ ပို့ဆောင်ပြီး ထိန်းထားပေးသည့် သို့မဟုတ် ရွေးချယ်ထားသော ဂဟေဆက်အမြန်နှုန်းဖြင့် သတ်မှတ်ထားသောလမ်းကြောင်းအတိုင်း ဂဟေစက်ကို ရွေ့လျားစေသည့် ကိရိယာ။
၄၀။ ချော့ခဲဖယ်ရှားခြင်း- ဂဟေဆက်မျက်နှာပြင်မှ ချော့ခဲခွံ အလွယ်တကူ ပြုတ်ကျခြင်း။
၄၁။ လျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်- လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရည်ညွှန်းပြီး၊ arc တည်ငြိမ်မှု၊ ဂဟေပုံသဏ္ဍာန်၊ slag ဖယ်ရှားခြင်းနှင့် spatter အရွယ်အစား စသည်တို့ ပါဝင်သည်။
၄၂။ အမြစ်သန့်ရှင်းရေး- နောက်သို့ဂဟေဆက်ခြင်းအတွက်ပြင်ဆင်ရန် ဂဟေဆက်၏နောက်ဘက်မှ ဂဟေအမြစ်ကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းကို အမြစ်သန့်ရှင်းရေးဟုခေါ်သည်။
၄၃။ ဂဟေဆက်ခြင်းအနေအထား- ပေါင်းစပ်ဂဟေဆက်ခြင်းအတွင်း ဂဟေဆက်ချုပ်ရိုး၏ နေရာချထားမှုကို ဂဟေဆက်ချုပ်ရိုး၏ စောင်းထောင့်နှင့် ဂဟေဆက်ချုပ်ရိုးလှည့်ထောင့်ဖြင့် ကိုယ်စားပြုနိုင်ပြီး ပြားချပ်ချပ်ဂဟေဆက်ခြင်း၊ ဒေါင်လိုက်ဂဟေဆက်ခြင်း၊ အလျားလိုက်ဂဟေဆက်ခြင်းနှင့် အပေါ်မှဂဟေဆက်ခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။
၄၄။ အပေါင်းချိတ်ဆက်မှု- ဂဟေဆက်အပိုင်းကို ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အပေါင်းဝင်ရိုးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းကို ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အနုတ်ဝင်ရိုးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။
၄၅။ ပြောင်းပြန်ချိတ်ဆက်မှု- ဂဟေဆက်ခြင်းကို ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အနုတ်တိုင်နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး လျှပ်ကူးပစ္စည်းကို ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အပြုသဘောတိုင်နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော ဝါယာကြိုးနည်းလမ်း။
၄၆။ DC အပေါင်းချိတ်ဆက်မှု- DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို အသုံးပြုသည့်အခါ ဂဟေဆက်အပိုင်းကို ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အပေါင်းဝင်ရိုးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး ဂဟေတံကို ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အနုတ်ဝင်ရိုးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။
၄၇။ DC ပြောင်းပြန်ချိတ်ဆက်မှု- DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို အသုံးပြုသောအခါ၊ ဂဟေဆက်အပိုင်းအစကို ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အနုတ်တိုင်နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ အီလက်ထရုတ် (သို့မဟုတ် အီလက်ထရုတ်) ကို ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အပေါင်းတိုင်နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။
၄၈။ စက်ဝိုင်းပုံ တောင့်တင်းမှု- အပူကျုံ့ခြင်းနှင့် သံလိုက်ကျုံ့ခြင်းတို့၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုအောက်တွင် စက်ဝိုင်းပုံသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းဝင်ရိုးတစ်လျှောက် တည့်တည့်မတ်မတ်ရှိနေသည့် အတိုင်းအတာကို ရည်ညွှန်းသည်။
၄၉။ arc static ဝိသေသလက္ခဏာများ- အချို့သော electrode ပစ္စည်း၊ ဓာတ်ငွေ့အလယ်အလတ်နှင့် arc အရှည်တို့၏အခြေအနေတွင် arc တည်ငြိမ်စွာလောင်ကျွမ်းသောအခါ၊ ဂဟေဆက်စီးကြောင်းနှင့် arc ဗို့အားပြောင်းလဲမှုကြား ဆက်နွယ်မှုကို ယေဘုယျအားဖြင့် volt-ampere ဝိသေသလက္ခဏာဟုခေါ်သည်။
၅၀။ အရည်ပျော်နေသောရေကန်- ပေါင်းစပ်ဂဟေဆက်ခြင်းအတွင်း ဂဟေဆက်အပူရင်းမြစ်၏လုပ်ဆောင်မှုအောက်တွင် ဂဟေဆက်ခြင်းပေါ်တွင်ဖြစ်ပေါ်လာသော တိကျသောဂျီဩမေတြီပုံသဏ္ဍာန်ရှိသော အရည်သတ္တုအစိတ်အပိုင်း။
၅၁။ ဂဟေဆော်ခြင်းဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ- ဂဟေဆော်နေစဉ်အတွင်း၊ ဂဟေဆက်ခြင်းအရည်အသွေးကိုသေချာစေရန်အတွက် ကန့်သတ်ချက်အမျိုးမျိုးကို ရွေးချယ်ထားသည် (ဥပမာ ဂဟေဆက်စီးကြောင်း၊ အာ့ဗို့အား၊ ဂဟေဆက်ခြင်းအမြန်နှုန်း၊ လိုင်းစွမ်းအင်၊ စသည်)။
၅၂။ ဂဟေဆက်လျှပ်စီးကြောင်း- ဂဟေဆက်နေစဉ်အတွင်း ဂဟေဆက်ပတ်လမ်းမှတစ်ဆင့် စီးဆင်းနေသော လျှပ်စီးကြောင်း။
၅၃။ ဂဟေဆက်ခြင်းအမြန်နှုန်း- ယူနစ်အချိန်တစ်ခုအတွင်း ပြီးစီးသော ဂဟေဆက်အလွှာ၏အရှည်။
၅၄။ လိမ်ကောက်ပုံပျက်ခြင်း- ဂဟေဆက်ပြီးနောက် အစိတ်အပိုင်း၏ အစွန်းနှစ်ဖက်သည် ကြားနေဝင်ရိုးပတ်လည်တွင် ဆန့်ကျင်ဘက်ဦးတည်ချက်ဖြင့် လိမ်ကောက်သွားသည့် ပုံပျက်ခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၅၅။ လှိုင်းပုံပျက်ခြင်း- လှိုင်းများနှင့်ဆင်တူသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ ပုံပျက်ခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၅၆။ ထောင့်ပုံပျက်ခြင်း- ဂဟေဆက်၏ ဖြတ်ပိုင်းပုံမမှန်မှုကြောင့် အထူဦးတည်ရာတစ်လျှောက် ထောင့်ဖြတ်ကျုံ့ခြင်း မညီမညာဖြစ်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ပုံပျက်ခြင်းဖြစ်သည်။
၅၇။ ဘေးတိုက်ပုံပျက်ခြင်း- အပူပေးဧရိယာ၏ ဘေးတိုက်ကျုံ့ခြင်းကြောင့် ဂဟေဆက်ခြင်း၏ ပုံပျက်ခြင်းဖြစ်စဉ်ဖြစ်သည်။
၅၈။ အလျားလိုက်ပုံပျက်ခြင်း- အပူပေးဧရိယာ၏ အလျားလိုက်ကျုံ့ခြင်းကြောင့် ဂဟေဆက်ပုံပျက်ခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၅၉။ ကွေးညွှတ်ပုံပျက်ခြင်း- ဂဟေဆက်ပြီးနောက် အစိတ်အပိုင်းသည် တစ်ဖက်သို့ ကွေးညွှတ်သွားသော ပုံပျက်ခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၆၀။ ထိန်းချုပ်မှုဒီဂရီ- ဂဟေဆက်များ၏ မာကျောမှုကို တိုင်းတာရန် ပမာဏဆိုင်ရာ အညွှန်းကိန်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၆၁။ အမှုန်အမွှားများကြား ချေးခြင်း- သတ္တုများ၏ အမှုန်အမွှားနယ်နိမိတ်တစ်လျှောက်တွင် ဖြစ်ပေါ်သော ချေးခြင်းဖြစ်စဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။
၆၂။ အပူပေးကုသမှု- သတ္တုကို အပူချိန်တစ်ခုအထိ အပူပေးပြီး အချိန်အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ ဤအပူချိန်တွင် ထားရှိပြီးနောက် အအေးခံနှုန်းတစ်ခုဖြင့် အခန်းအပူချိန်အထိ အအေးခံခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်။
၆၃။ ဖာရိုက်: သံနှင့် ကာဗွန်တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော ခန္ဓာကိုယ်ဗဟိုပြု ကုဗကွက်၏ အစိုင်အခဲ ပျော်ရည်။
၆၄။ ပူပြင်းသောအက်ကွဲကြောင်းများ- ဂဟေဆော်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ ဂဟေဆက်ကြောင်းနှင့် အပူဒဏ်ခံရသောဇုန်ရှိ သတ္တုကို ဆိုလီဒတ်စ်မျဉ်းအနီးရှိ အပူချိန်မြင့်ဇုန်သို့ အအေးခံပြီး ဂဟေဆက်အက်ကွဲကြောင်းများ ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။
၆၅။ အက်ကွဲကြောင်းပြန်လည်အပူပေးခြင်း- ဂဟေဆက်ခြင်းနှင့် အပူဒဏ်ခံရသောဇုန်ကို ပြန်လည်အပူပေးသောအခါ ဖြစ်ပေါ်လာသော အက်ကွဲကြောင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၆၆။ ဂဟေဆက်အက်ကွဲခြင်း- ဂဟေဆက်ဖိအားနှင့် အခြားကြွပ်ဆတ်သောအချက်များ၏ အဆစ်လှုပ်ရှားမှုအောက်တွင်၊ ဂဟေဆက်ထားသောအဆစ်၏ ဒေသတွင်းရှိ သတ္တုအက်တမ်များ၏ ချည်နှောင်အားသည် မျက်နှာပြင်အသစ်တစ်ခုမှ ထုတ်ပေးသော ကွာဟချက်တစ်ခုဖြစ်ပေါ်စေပြီး ချွန်ထက်သောကွာဟချက်နှင့် ကြီးမားသော ရှုထောင့်အချိုးအစားရှိသည့် ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။
၆၇။ ချိုင့်ဝှမ်းအက်ကွဲကြောင်းများ- arc ချိုင့်ဝှမ်းများတွင် ဖြစ်ပေါ်လာသော အပူအက်ကွဲကြောင်းများ။
၆၈။ အလွှာလိုက်စုတ်ပြဲခြင်း- ဂဟေဆက်နေစဉ်၊ ဂဟေဆက်ထားသော သံမဏိပြား၏ လှိမ့်အလွှာတစ်လျှောက်တွင် လှေကားပုံသဏ္ဍာန် အက်ကွဲကြောင်းတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်သည်။
၆၉။ အစိုင်အခဲပျော်ရည်- ၎င်းသည် ဒြပ်စင်တစ်ခုသည် အခြားဒြပ်စင်တစ်ခုတွင် တစ်ပြေးညီ ဖြန့်ဖြူးမှုကြောင့် ဖွဲ့စည်းထားသော အစိုင်အခဲဒြပ်ပေါင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။
၇၀။ ဂဟေဆက်မီးလျှံ- ယေဘုယျအားဖြင့် ဓာတ်ငွေ့ဂဟေဆက်ရာတွင် အသုံးပြုသော မီးလျှံကို ရည်ညွှန်းပြီး ဟိုက်ဒရိုဂျင်အက်တမ်မီးလျှံနှင့် ပလာစမာမီးလျှံတို့လည်း ပါဝင်သည်။ အက်စီတလင်းဟိုက်ဒရိုဂျင်နှင့် အရည်ပျော်ရေနံဓာတ်ငွေ့ကဲ့သို့သော မီးလောင်လွယ်သောဓာတ်ငွေ့များတွင် အက်စီတလင်းသည် အောက်ဆီဂျင်စစ်စစ်တွင် လောင်ကျွမ်းသောအခါ အပူများစွာထုတ်လွှတ်ပြီး မီးလျှံ၏အပူချိန်မြင့်မားသောကြောင့် အောက်ဆီအက်စီတလင်းမီးလျှံကို လက်ရှိတွင် ဓာတ်ငွေ့ဂဟေဆက်ရာတွင် အဓိကအသုံးပြုသည်။
၇၁။ ဖိစီးမှု- အရာဝတ္ထုတစ်ခုမှ ယူနစ်ဧရိယာတစ်ခုလျှင် သက်ရောက်သည့်အားကို ရည်ညွှန်းသည်။
၇၂။ အပူဖိစီးမှု- ဂဟေဆော်စဉ်အတွင်း မညီမျှသော အပူချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ဖိစီးမှုကို ရည်ညွှန်းသည်။
၇၃။ တစ်ရှူးဖိစီးမှု- အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော တစ်ရှူးပြောင်းလဲမှုများကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ဖိစီးမှုကို ရည်ညွှန်းသည်။
၇၄။ တစ်လမ်းသွားဖိအား- ဂဟေဆက်ခြင်းတွင် ဦးတည်ချက်တစ်ခုတည်းတွင် တည်ရှိနေသော ဖိအားဖြစ်သည်။
၇၅။ နှစ်လမ်းသွားဖိအား- ၎င်းသည် မျက်နှာပြင်တစ်ခုတွင် မတူညီသော ဦးတည်ချက်များတွင် တည်ရှိနေသော ဖိအားဖြစ်သည်။
၇၆။ ဂဟေဆက်ခြင်း၏ ခွင့်ပြုထားသော ဖိအား- ဂဟေဆက်ခြင်းတွင် ရှိနေခွင့်ပြုထားသော အမြင့်ဆုံးဖိအားကို ရည်ညွှန်းသည်။
၇၇။ အလုပ်လုပ်သောဖိအား- အလုပ်လုပ်သောဖိအားဆိုသည်မှာ အလုပ်လုပ်သောဂဟေဆက်ခြင်းမှ သက်ရောက်သောဖိအားကို ရည်ညွှန်းသည်။
၇၈။ ဖိစီးမှုပါဝင်မှု- ဂဟေဆက်တွင် အလုပ်လုပ်သောဖိစီးမှု မညီမျှသောဖြန့်ဖြူးမှုကို ရည်ညွှန်းပြီး အမြင့်ဆုံးဖိစီးမှုတန်ဖိုးသည် ပျမ်းမျှဖိစီးမှုတန်ဖိုးထက် မြင့်မားသည်။
၇၉။ အတွင်းပိုင်းဖိစီးမှု- ပြင်ပအားမရှိသည့်အခါတွင် elastic body တွင်ထိန်းသိမ်းထားသောဖိစီးမှုကိုရည်ညွှန်းသည်။
၈၀။ အပူလွန်ကဲဇုန်- ဂဟေဆက်ခြင်း၏ အပူဒဏ်ခံရသောဇုန်တွင် အပူလွန်ကဲသောဖွဲ့စည်းပုံ သို့မဟုတ် သိသိသာသာ ကြမ်းတမ်းသော အမှုန်အမွှားများရှိသည့် ဧရိယာတစ်ခုရှိသည်။
၈၁။ အပူလွန်ကဲနေသောဖွဲ့စည်းပုံ- ဂဟေဆော်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ ပေါင်းစပ်မျဉ်းအနီးရှိ အခြေခံသတ္တုသည် ဒေသတွင်းတွင် အပူလွန်ကဲလေ့ရှိပြီး ၎င်းသည် အမှုန်အမွှားများကြီးထွားလာပြီး ကြွပ်ဆတ်သောဂုဏ်သတ္တိများရှိသော ဖွဲ့စည်းပုံကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။
၈၂။ သတ္တု- သဘာဝတွင် ဒြပ်စင် ၁၀၇ မျိုး ရှာဖွေတွေ့ရှိထားပြီးဖြစ်သည်။ ဤဒြပ်စင်များထဲတွင် လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်စွမ်းကောင်းမွန်ခြင်း၊ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းကောင်းမွန်ခြင်း၊ မီးလောင်လွယ်ခြင်းနှင့် သတ္တုတောက်ပမှုကောင်းမွန်ခြင်းတို့ကို သတ္တုများဟုခေါ်သည်။
၈၃။ ခိုင်ခံ့မှု- သတ္တုတစ်ခုသည် ရိုက်ခတ်မှုနှင့် ကြားဖြတ်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုကို ခေါ်ဆိုသည်။
၈၄.၄၇၅°C ကြွပ်ဆတ်ခြင်း- ferrite အဆင့်ပိုမိုပါဝင်သော Ferrite + austenite dual-phase welds များတွင် (၁၅~၂၀% ကျော်)၊ ၃၅၀~၅၀၀°C တွင်အပူပေးပြီးနောက်၊ ပလတ်စတစ်နှင့် ခိုင်ခံ့မှုသိသိသာသာလျော့နည်းသွားမည်ဖြစ်ပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ ပစ္စည်းသည် ကြွပ်ဆတ်သောပြောင်းလဲမှုဖြစ်သည်။ ၄၇၅°C တွင် အမြန်ဆုံးကြွပ်ဆတ်ခြင်းကြောင့် ၎င်းကို ၄၇၅°C ကြွပ်ဆတ်ခြင်းဟုခေါ်လေ့ရှိသည်။
၈၅။ အရည်ပျော်နိုင်မှု- သတ္တုသည် ပုံမှန်အပူချိန်တွင် အစိုင်အခဲဖြစ်ပြီး အပူချိန်တစ်ခုအထိ အပူပေးသောအခါ အစိုင်အခဲအခြေအနေမှ အရည်အခြေအနေသို့ ပြောင်းလဲသွားပါသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိကို အရည်ပျော်နိုင်မှုဟုခေါ်သည်။
၈၆။ ရှော့-ဆားကစ် အကူးအပြောင်း- အီလက်ထရုတ် (သို့မဟုတ် ဝါယာကြိုး) ၏ အဆုံးရှိ အစက်အပြောက်သည် အရည်ပျော်ကန်နှင့် ရှော့-ဆားကစ် ထိတွေ့နေပြီး၊ အပူလွန်ကဲခြင်းနှင့် သံလိုက်ကျုံ့ခြင်းကြောင့် ပေါက်ကွဲပြီး အရည်ပျော်ကန်သို့ တိုက်ရိုက်ကူးပြောင်းသည်။
၈၇။ ဖြန်းဆေးအကူးအပြောင်း- အရည်ပျော်စက်သည် အမှုန်အမွှားပုံစံဖြင့် arc space မှတစ်ဆင့် အရည်ပျော်ကန်သို့ ဖြန်းဆေးကဲ့သို့ လျင်မြန်စွာ ဖြတ်သန်းသွားသည်။
၈၈။ ရေစိုခံနိုင်မှု- သံရည်စိမ်နေစဉ်အတွင်း သံရည်စိမ်သတ္တုသည် သံရည်စိမ်အဆစ်များကြားရှိ ကွက်လပ်အတွင်း စီးဆင်းရန် capillary action ပေါ်တွင် မူတည်သည်။ ဤအရည်သံရည်စိမ်သတ္တုသည် သစ်သားထဲသို့ စိမ့်ဝင်ပြီး ကပ်ငြိနိုင်စွမ်းကို ရေစိုခံနိုင်မှုဟုခေါ်သည်။
၈၉။ ခွဲခြားခြင်း- ၎င်းသည် ဂဟေဆော်ခြင်းတွင် ဓာတုအစိတ်အပိုင်းများ မညီမညာ ဖြန့်ဖြူးခြင်း ဖြစ်သည်။
၉၀။ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း- သတ္တုပစ္စည်းများသည် မတူညီသော မီဒီယာများကြောင့် ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၉၁။ အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း- သတ္တုပစ္စည်းများသည် အောက်ဆီဒေးရှင်းကို ခုခံနိုင်စွမ်းကို ရည်ညွှန်းသည်။
၉၂။ ဟိုက်ဒရိုဂျင် ကြွပ်ဆတ်ခြင်း- ဟိုက်ဒရိုဂျင်သည် သံမဏိ၏ ပလတ်စတစ်ဖြစ်မှုကို သိသိသာသာ လျော့ကျစေသည့် ဖြစ်စဉ်။
၉၃။ အပူပေးပြီးနောက်- ၎င်းသည် တစ်ခုလုံး သို့မဟုတ် ဒေသတွင်းတွင် ဂဟေဆက်ပြီးနောက် ချက်ချင်း ၁၅၀-၂၀၀°C အထိ အချိန်အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ ဂဟေဆက်ခြင်းကို အပူပေးသည့် နည်းပညာဆိုင်ရာ တိုင်းတာမှုကို ရည်ညွှန်းသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ မတ်လ ၁၄ ရက်
